【概要描述】12月6日,2024年度ICC訊石光通信行業(yè)英雄榜頒獎(jiǎng)典禮在蘇州舉辦,ibet850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片榮獲創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)!
【概要描述】12月6日,2024年度ICC訊石光通信行業(yè)英雄榜頒獎(jiǎng)典禮在蘇州舉辦,ibet850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片榮獲創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)!
12月6日,2024年度ICC訊石光通信行業(yè)英雄榜頒獎(jiǎng)典禮在蘇州舉辦,ibet850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片榮獲創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)!
ICC訊石·光通信行業(yè)英雄榜從光通信產(chǎn)業(yè)鏈入手,從參選產(chǎn)品的技術(shù)、成本、市場(chǎng)占有率、客戶滿意度和第三方權(quán)威驗(yàn)證等數(shù)據(jù)選出獲獎(jiǎng)產(chǎn)品,經(jīng)過十一年的發(fā)展,訊石英雄榜已成為光通信行業(yè)年度頂尖評(píng)選盛會(huì)之一,其中,創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)旨在表彰2024年度在補(bǔ)短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代方面具有重要意義的產(chǎn)品。
本次獲獎(jiǎng)的850nm 100G PAM4 VCSEL芯片產(chǎn)品在帶寬、RIN等關(guān)鍵特性方面媲美業(yè)界頂尖水平:
1)常溫帶寬典型值28GHz,RIN典型值<-150dB/Hz;
2)波長(zhǎng)<863nm,滿足IEEE100m OM4 多模光纖傳輸標(biāo)準(zhǔn)要求;
3)優(yōu)秀的抗反射性能,保障客戶?樵0-70℃全溫范圍工作BER無跳變;
芯片滿足400G VR4/SR4/AOC、 800G VR8/SR8/AOC應(yīng)用,產(chǎn)品嚴(yán)格按照GR468標(biāo)準(zhǔn)完成可靠性認(rèn)證。
套片產(chǎn)品在客戶處驗(yàn)證表現(xiàn)優(yōu)異,滿足100m OM4傳輸,良率高,代表了國產(chǎn)芯片在行業(yè)內(nèi)高性能和高質(zhì)量的水平。
歷經(jīng)十余年發(fā)展,ibet建立了從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試等完善的一站式IDM全流程平臺(tái),在高速率光通信芯片研發(fā)過程中,攻克了二次外延對(duì)接工藝、含AL材料外延生長(zhǎng)、特殊抗反射設(shè)計(jì)、腔面鈍化鍍膜等關(guān)鍵技術(shù)。100G VCSEL產(chǎn)品的開發(fā)和量產(chǎn)自主可控,在量產(chǎn)穩(wěn)定性和可靠性上,相比于代工模式具有顯著產(chǎn)能和質(zhì)量管控優(yōu)勢(shì)。
ibet已形成全面、豐富的通信光芯片產(chǎn)品矩陣,可滿足超大容量的數(shù)據(jù)通信需求,距離上覆蓋VR、SR、DR、FR等,速率上覆蓋單波25G、50G、100G??煽焖俳鉀Q高端光芯片產(chǎn)能短缺和成本痛點(diǎn),是短距互聯(lián)光芯片一站式IDM解決方案商!
ibet專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片,核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域,攻克了一直飽受桎梏的外延生長(zhǎng)、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題,建成了完全自主可控的從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測(cè)試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線,擁有2吋、3吋、6吋三大量產(chǎn)線,邊發(fā)射EEL、面發(fā)射VCSEL兩大產(chǎn)品結(jié)構(gòu),GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系,是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一,面向未來,ibet正積極開發(fā)演進(jìn)下一代光芯片平臺(tái)技術(shù)和產(chǎn)品。
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