外延生長(zhǎng)技術(shù)
Epitaxial growth
外延生長(zhǎng)是指在一定結(jié)晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上延伸出并按一定晶體學(xué)方向生長(zhǎng)單晶層的方法,這個(gè)單晶層被稱為外延層。外延生長(zhǎng)可以精確控制外延層的組分、厚度、界面、摻雜及均勻性,是半導(dǎo)體激光器制作的首步工序。外延生長(zhǎng)的材料結(jié)構(gòu)及質(zhì)量直接決定了半導(dǎo)體激光器芯片的波長(zhǎng)、功率、壽命及可靠性,是半導(dǎo)體激光器制作的核心技術(shù)之一。
FAB晶圓工藝
FAB Wafer process
FAB晶圓工藝加工是將半導(dǎo)體激光器或其他光電器件外延片加工成激光器芯片的關(guān)鍵加工過(guò)程。利用光刻、刻蝕技術(shù)在在外延結(jié)構(gòu)上制作微米和納米級(jí)圖形,完成半導(dǎo)體激光器等光電器件的橫向結(jié)構(gòu)的定義,構(gòu)造半導(dǎo)體激光器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結(jié)構(gòu)。再利用介質(zhì)膜和金屬膜生長(zhǎng)等工藝完成半導(dǎo)體激光器等光電器件電流注入電極的制備,完成半導(dǎo)體激光器芯片等光電芯片的制備。
腔面解理鈍化技術(shù)
Cavity surface passivation treatment equipment and technology
在腔面解理及鈍化處理方面,采用超高真空(<10-10torr)腔面解理鈍化工藝,結(jié)合無(wú)吸收窗口的芯片新結(jié)構(gòu)及工藝,提高了芯片抗腔面光學(xué)災(zāi)變損傷的功率。
High brightness combined beam And fiber coupling
針對(duì)大功率半導(dǎo)體激光器光譜質(zhì)量低、光束質(zhì)量差、光譜質(zhì)量低的難題,采用微光學(xué)器件和緊湊化設(shè)計(jì)降低激光器尺寸和體積、采用體光柵和面光柵混合光譜合成技術(shù)在保證高輸出光束質(zhì)量的情況下上百倍地提升輸出功率、采用面光柵波長(zhǎng)鎖定技術(shù)降低中心波長(zhǎng)漂移的同時(shí)提升光譜質(zhì)量、采用高效率光纖耦合技術(shù)實(shí)現(xiàn)激光柔性傳輸、提高系統(tǒng)可靠性,通過(guò)設(shè)計(jì)創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)和開(kāi)發(fā)突破性的波長(zhǎng)鎖定及光譜合成技術(shù),研制高功率、高亮度、高光譜質(zhì)量的光纖耦合?。
外延生長(zhǎng)技術(shù)
Epitaxial growth
外延生長(zhǎng)是指在一定結(jié)晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上延伸出并按一定晶體學(xué)方向生長(zhǎng)單晶層的方法,這個(gè)單晶層被稱為外延層。外延生長(zhǎng)可以精確控制外延層的組分、厚度、界面、摻雜及均勻性,是半導(dǎo)體激光器制作的首步工序。外延生長(zhǎng)的材料結(jié)構(gòu)及質(zhì)量直接決定了半導(dǎo)體激光器芯片的波長(zhǎng)、功率、壽命及可靠性,是半導(dǎo)體激光器制作的核心技術(shù)之一。
FAB晶圓工藝
FAB Wafer process
FAB晶圓工藝加工是將半導(dǎo)體激光器或其他光電器件外延片加工成激光器芯片的關(guān)鍵加工過(guò)程。利用光刻、刻蝕技術(shù)在在外延結(jié)構(gòu)上制作微米和納米級(jí)圖形,完成半導(dǎo)體激光器等光電器件的橫向結(jié)構(gòu)的定義,構(gòu)造半導(dǎo)體激光器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結(jié)構(gòu)。再利用介質(zhì)膜和金屬膜生長(zhǎng)等工藝完成半導(dǎo)體激光器等光電器件電流注入電極的制備,完成半導(dǎo)體激光器芯片等光電芯片的制備。
腔面鈍化處理裝備和工藝
Cavity surface passivation treatment equipment and technology
在腔面解理及鈍化處理方面,采用超高真空(<10-10torr)腔面解理鈍化工藝,結(jié)合無(wú)吸收窗口的芯片新結(jié)構(gòu)及工藝,提高了芯片抗腔面光學(xué)災(zāi)變損傷的功率。
High brightness combined beam And fiber coupling
針對(duì)大功率半導(dǎo)體激光器光譜質(zhì)量低、光束質(zhì)量差、光譜質(zhì)量低的難題,采用微光學(xué)器件和緊湊化設(shè)計(jì)降低激光器尺寸和體積、采用體光柵和面光柵混合光譜合成技術(shù)在保證高輸出光束質(zhì)量的情況下上百倍地提升輸出功率、采用面光柵波長(zhǎng)鎖定技術(shù)降低中心波長(zhǎng)漂移的同時(shí)提升光譜質(zhì)量、采用高效率光纖耦合技術(shù)實(shí)現(xiàn)激光柔性傳輸、提高系統(tǒng)可靠性,通過(guò)設(shè)計(jì)創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)和開(kāi)發(fā)突破性的波長(zhǎng)鎖定及光譜合成技術(shù),研制高功率、高亮度、高光譜質(zhì)量的光纖耦合?。
地址:江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城漓江路56號(hào)
郵箱:[email protected]
網(wǎng)址:www.bbjdq.cn
電話:0512-66896988
傳真:0512-66806323
地址:蘇州市高新區(qū)科技城昆侖山路189號(hào)2號(hào)廠房
郵箱:[email protected]
網(wǎng)址:www.bbjdq.cn
電話:0512-66896988
傳真:0512-66806323
留言板
Copyright ? 2022 蘇州ibet光電技術(shù)股份有限公司 版權(quán)所有 All rights reserved 備案號(hào):蘇ICP備17060326號(hào)-1 SEO
蘇州ibet光電技術(shù)股份有限公司
備案號(hào):蘇ICP備17060326號(hào)-1
技術(shù)支持:中企動(dòng)力 蘇州
Address: No.56 Lijiang Road, Science and Technology City, Suzhou, Jiangsu Province
Mailbox:[email protected]
Website:www.bbjdq.cn
Phone:0512-66896988
Fax:0512-66806323
Message Board
地址:江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城漓江路56號(hào)
郵箱:[email protected]
網(wǎng)址:www.bbjdq.cn
電話:0512-66896988
傳真:0512-66806323
Copyright ? 2022 Suzhou Changguang Huaxin Optoelectronics Technology Co. All rights reserved 蘇ICP備17060326號(hào)-1 SEO
蘇州ibet光電技術(shù)股份有限公司
蘇ICP備17060326號(hào)-1
Powered by 300.cn