ibet2024年度四大技術成果

【概要描述】隨著激光在工業、通信等領域的持續滲透，對上游核心芯片提出更高要求，ibet順應市場需求，持續優化工藝、創新技術，有效提升半導體激光芯片的功率、效率、速率等關鍵指標，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關成果均在有影響力的國際期刊發表

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【概要描述】隨著激光在工業、通信等領域的持續滲透，對上游核心芯片提出更高要求，ibet順應市場需求，持續優化工藝、創新技術，有效提升半導體激光芯片的功率、效率、速率等關鍵指標，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關成果均在有影響力的國際期刊發表

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隨著激光在工業、通信等領域的持續滲透，對上游核心芯片提出更高要求，ibet順應市場需求，持續優化工藝、創新技術，有效提升半導體激光芯片的功率、效率、速率等關鍵指標，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關成果均在有影響力的國際期刊發表：

在超高功率單管芯片結構設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的雙結單管芯片室溫連續功率超過132W（芯片條寬 500μm），工作效率 62%，是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元！

該研究成果在國際SCI知名期刊《photonics》上發表。

在高功率和窄譜寬激光器方面攻克了如光柵設計和材料生長等多個難點，取得突破性進展，開發的780nm寬條分布反。―FB）激光器室溫連續輸出功率超過10W。創下了780nm波段DFB激光器的最高紀錄，同時在寬電流與溫度范圍內保持了良好的鎖波特性。

該研究成果在光子學領域權威期刊《IEEE Photonics Journal》上發表。

03 | VCSEL 多結VCSEL電光效率達74%

攻克低損耗多結VCSEL結構，將面發射芯片效率從20年前的61%一躍提高至74%，打破近20年來VCSEL效率發展停滯的局面，改變了VCSEL在效率上無法超過邊發射激光器的固有認知！

該研究成果發表在國際光學前三的Light: Science & Applications上。

構建了多結VCSEL的模式分析模型，解決了單模功率難以突破10mW左右水平的難題，在直流驅動下實現了20.2mW的單基橫模激光輸出，功率轉換效率達42%，發散角為9.8° (1/e2)和5.1° (FWHM)。這是迄今為止單顆VCSEL的最高單模功率，其功率值接近現有單模功率記錄的兩倍。

該研究成果發表在國際光學領域頭部期刊Photonics Research。

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