ibet2024年度四大技術成果
隨著激光在工業、通信等領域的持續滲透，對上游核心芯片提出更高要求，ibet順應市場需求，持續優化工藝、創新技術，有效提升半導體激光芯片的功率、效率、速率等關鍵指標，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關成果均在有影響力的國際期刊發表
VCSEL研究成果引發國內外學者及權威媒體廣泛關注
今年，由王俊教授帶領的四川大學和ibet組成的研究團隊在國際光學領域排名前三的Light: Science & Applications期刊上發表了VCSEL（垂直腔面發射激光器）效率突破的研究成果后，該成果受到了多位國際泰斗級專家學者及國內知名專家學者、產業界、投資界及數十家權威媒體的關注，引領了多結半導體器件研究的新方向，掀起了多結半導體器件研究的熱潮。
國際半導體行業著名雜志《Semiconductor Today》專欄報道ibetVCSEL效率進展
國際半導體行業著名雜志《Semiconductor Today》專欄報道由王俊教授帶領的四川大學和蘇州ibet研究團隊的“級聯VCSEL：提升功率效率的突破-室溫性能媲美邊發射器件”成果。
高功率窄譜寬：780nm寬條DFB激光器功率突破10W
在激光技術快速發展的今天，高功率和窄譜寬激光器已成為眾多科學與工業領域的核心需求。近日，ibetCTO、四川大學王俊教授研究團隊開發的一款780nm寬條分布反。―FB）激光器取得重大突破，室溫連續輸出功率超過10W。這項研究成果在光子學領域權威期刊《IEEE Photonics Journal》上發表，展現了團隊在高性能激光器設計方面的重要進展。
20.2 mW！單模VCSEL功率效率刷新記錄
四川大學電子信息學院及蘇州ibet光電技術股份有限公司王俊教授研究團隊提出了一種基于多結VCSEL擴展縱向增益以提升單模VCSEL功率的方法，并構建了多結VCSEL的模式分析模型，解決了單模功率難以突破10 mW左右水平的難題，這是迄今為止單顆VCSEL的最高單模功率，其功率值接近現有單模功率記錄的兩倍。
最佳半導體激光器技術創新獎丨976nm 650W輕量化泵浦模塊
近日，維科杯·OFweek 2024激光行業年度評選頒獎典禮在深圳舉辦，經過專家評審團、行業用戶網絡投票、資深行業編輯等多輪評審，ibet從近百個參評項目中脫穎而出，650W 220μm 976nm波長鎖定輕量化光纖耦合？槿倩褡羆尋氳繼寮す餛骷際醮蔥陸保
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